IRFH5210TRPBF

1. Түбән үткәрү югалтулары
2. Яхшырак җылылык таратуны тәэмин итә
3. Ышанычлылыкны арттыру
4. Көч тыгызлыгын арттыру
5.Мульти-Сатучыга туры килү
6. eиңел җитештерү
7. Экологик яктан дус
8. Ышанычлылыкны арттыру

Manufactитештерүче өлеш саны: IRFH9310TRPBF
Manufactитештерүче / Бренд Халыкара Ректификатор (Инфинон Технологияләр)
Тасвирлау өлеше: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Куркынычсыз бушлай статус / RoHS статусы: бушлай бушлай / RoHS туры килә
Акциянең торышы: Яңа оригиналь, 12000 даана Акция бар.
Кораб: Гонконг
Тапшыру юлы: DHL / Fedex / TNT / UPS
Продукциянең атрибутик кыйммәте атрибутны сайлагыз
Партия номеры IRFH9310TRPBF
Manufactитештерүче / Бренд Халыкара Ректифиер (Infineon Technologies)
Акция саны 12000 даана Акция
Төркем дискрет ярымүткәргеч продуктлары> Транзисторлар - FET, MOSFETs - Ялгыз
Тасвирлау MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Куркынычсыз бушлай статус / RoHS статусы: бушлай бушлай / RoHS туры килә
Киңлеге - эчендә -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Көч / ток - чыгу 1 PQFN (5х6)
Толерантлык 5250pF @ 15V
Койрык тибы П-канал
Адым почмагы MOSFET (металл оксиды)
Температура инфинон технологияләрен кыскарту
SFP / XFP тибы ± 20В
Ерак мөмкинлек HEXFET®
Питч - Кабель өслеге
Башка исемнәр бушлай / RoHS туры килә
Башка исемнәр 1
Осиллатор тибы 8-PowerVDFN
DAC 30V саны
Минималь сыек специфик тарту -
Охшаш юнәлеш 4.6 mOhm @ 21A, 10V
Итештерүче өлеш саны IRFH9310TRPBFDKR-ND
Озынлык - Баррель Диги-Рел®
Лампа төсе 4.5В, 10В
Sideгары як көчәнеше - Макс (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Функция 58nC @ 4.5V
Көйлә көче актив
Канал сыйдырышлыгы (CS (сүндерелгән), CD (сүндерелгән)) 3.1W (Ta)
Карта укучы тибы 2.4V @ 100µA
Featuresзенчәлекләр һәм өстенлекләр
Нәтиҗәнең үзенчәлекләре
Түбән RDSon (≤ 4.6mΩ) Түбән үткәрү югалтулары
Сәнәгать-стандарт PQFN пакеты Күп сатучы туры килү
RoHS туры килүче корыч, бромид һәм галоген экологик яктан чиста булмаган
нәтиҗәләре
Тамга
Форма саны
IRFH9310TRPBF PQFN 5 мм х 6 мм тасма һәм ролик 4000
Заказлы өлеш саны Пакет төре Стандарт пакет
VDS -30 V.
RDS (өстендә) макс
(@VGS = 10V) 4,6 мΩ
Qg (типик) 110 nC
RG (типик) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25 ° C) -21 А.
Абсолют максималь рейтинг
Параметр берәмлекләре
VDS дренаж-чыганак көчәнеше
VGS капкадан чыганак көчәнеше
ID @ TA = 25 ° C Даими дренаж агымы, VGS @ -10V
ID @ TA = 70 ° C өзлексез дренаж агымы, VGS @ -10V
ID @ TC = 25 ° C Даими дренаж агымы, VGS @ -10V (Кремний Лимитед)
ID @ TC = 70 ° C өзлексез дренаж агымы, VGS @ -10V (Кремний Лимитед)
ID @ TC = 25 ° C өзлексез дренаж агымы, VGS @ -10V (Пакет чикләнгән)
IDM пульслы дренаж агымы
PD @TA = 25 ° C Энергиянең таралуы
PD @ TA = 70 ° C Энергиянең таралуы
Сызыклы сүндерү факторы W / ° C.
TJ операция чишелеше һәм
TSTG Саклау температурасы диапазоны
Кабатлау рейтингы;импульс киңлеге макс белән чикләнгән.тоташу температурасы.
TJ = 25 ° C, L = 1,1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A башлау.
Пульс киңлеге ≤ 400µс;дежур циклы ≤ 2%.
1 дюйм квадрат бакыр тактага куелган вакытта.
Rθ якынча 90 ° C TJ белән үлчәнә.
Дизайн ярдәме өчен, производство сынаулары астында түгел.